Matériel: Silicium Tension de claquage inversé : 15 VDC Tension de fonctionnement maximale : 10 VDC Courant d'obscurité : 0,3 A Courant lumineux : 0,5 – 1 mA
Les phototransistors fonctionnent dans leur régime actif, bien que la connexion de base soit laissée en circuit ouvert ou déconnectée car elle n'est pas nécessaire.
La base du phototransistor ne serait utilisée que pour polariser le transistor afin qu'un courant de collecteur supplémentaire circule et cela masquerait tout courant circulant à la suite de la photo-action.
Pour le fonctionnement, les conditions de polarisation sont assez simples. Le collecteur d'un transistor n-p-n est rendu positif par rapport à l'émetteur ou négatif pour un transistor p-n-p.
La lumière pénètre dans la région de base du phototransistor où elle provoque la génération de paires d'électrons entières. Cela se produit principalement dans la jonction base-collecteur polarisée en inverse.
Les paires trou-électron se déplacent sous l'influence du champ électrique et fournissent le courant de base, provoquant l'injection d'électrons dans l'émetteur.
