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  • UGS: DGK-IC0002
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Description du produit

2N60 2 Ampères 600Volts MOSFET DE PUISSANCE à canal N Le 2N60 est un MOSFET haute tension et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles qu'un temps de commutation rapide, une faible charge gatecharge, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques d'avalanche très robustes. Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé dans les applications de commutation à grande vitesse dans les alimentations électriques, les commandes de moteur PWM, les convertisseurs CC-CC à haut rendement et les circuits de pontage.

Caractéristiques du 2N60 Power Mosfet:

RDS (ON) = 3,8 à VGS = 10V.

Charge de grille ultra faible (9,0 nC typique)

Faible capacité de transfert inverse (Crss = 5,0 pF typique)

Capacité de commutation rapide

Énergie d'avalanche spécifiée

Amélioration de la capacité dv / dt, grande robustesse